ALD20, 突破ALD技术极限

在半导体芯片制造过程中，薄膜沉积（Thin film deposition）是一种广泛应用的工艺，主要由传统的化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）两种薄膜沉积方式组成。随着芯片工艺不断发展，例如：在 3D NAND 存储器件的 3D 结构中，介电膜或字线填充金属薄膜，FinFET 薄栅极侧壁的间隔物，传统薄膜沉积方式已无法满足工艺要求（例如：薄膜的均匀性，狭窄沟道填充带来的挑战）。原子层沉积（ALD）这种之前相对小众的薄膜沉积方式因其独特自限制性的特点而带来优异的均匀薄膜就有了更大的发挥空间。

世伟洛克为应对行业对原子层沉积工艺的需求，率先开发了业内第一款原子层沉积应用阀门（ALD3，对应流量系数 Cv 0.3; ALD6，对应流量系数 Cv 0.6），目前被广泛应用于先进半导体原子层沉积设备，获得业内一致的好评和认可。

近几年，先进半导体芯片制造对工艺要求的材料和产品设计有越来越高的要求，不仅能承受腐蚀性气体和极端温度，并且要求在数千万次工艺循环中，提供精确的定量给料。对于产品的关键指标，诸如响应与开闭速度、可重复性和洁净度都是不可或缺的。除了满足当前的需求之外，具有前瞻性的公司还需要先进产品来支持他们在技术快速发展的市场中保持其领先竞争优势，比如采用一些全新的低蒸汽压的化学材料（某些液态或固态的前驱体）和相应的制造工艺。

半导体芯片制造市场中蕴含着大量要求能够提升效率、一致性和创新性。因此，世伟洛克开发了全新的 ALD20 超高纯原子层沉积阀门，从而为半导体行业的领导者提供了下一代原子层沉积工艺应用所需的精确和性能。

定义未来

ALD20 阀门所支持的高流量能力和热稳定性能使其能够始终如一地保持高温环境下工作，并降低所需的介质压降，从而可以在紧凑的空间内快速输送更多种类的化合物。因此，采用 ALD20 阀门的半导体芯片制造商现在可以使用更多种类的低蒸气压前驱体，实现开发当今最先进技术所需的均匀沉积，还能够发掘未来的竞争优势。

更高的流量、更小的占用空间

新型原子层沉积 ALD20 超高纯阀门专为突破 ALD 阀门技术的极限所设计，从而使流量可达当今标准原子层沉积阀门的流量的两至三倍。更高的流量使得通过阀门介质的压降相对更低，从而大幅度提高低蒸汽压前驱体化学材料的选择范围。在某些应用中，ALD20 阀门帮助制造商能够利用提升流量来提高工艺效率。

• ALD20 阀门紧凑的 1.5 英寸模块化表面安装的占用空间在无需重装现有设备或调整额外工艺就能够传输 1.2Cv 的流量。
• 具有稍大占用空间宽度（1.75 英寸）的ALD20阀门标准阀体形式可传输 1.7Cv 的流量。
• 可根据客户需求设定阀门流量系数

毫不妥协的一致性

ALD20 阀门同时也为原子层沉积工艺提供易于使用的改进功能。其阀门本体和执行器可完全浸入至温度高达 200 摄氏度的 Gas box (气箱中)。工艺管线中增强的热稳定性可以确保低蒸汽压气体保持在利于最佳流量的温度，从而实现一致的，高品质的沉积工艺。ALD20 阀门的其他特点同样有助于持久，一致的运行。

• 316L VIM-VAR 不锈钢或哈式合金 22 阀体材料可提供搞耐腐蚀能力，以承受越来越具腐蚀性的介质
• 表面光洁度为 5 微英寸（μin.Ra）高度抛光波纹管可在超高循环次数下实现洁净运行，从而实现工艺的完整性
• 气动执行器可以提供高速（<10 毫秒）且可重复的驱动力，以实现精确，一致的流量，从而满足定量给料要求。

为您的应用度身定制

注：自2019年10月8日起，金额低于RMB3000（不含税），订单操作费由原先的RMB 1000元调整为RMB 100元（不含税），金额低于500美元，订单操作费由150美元调整为15美元，感谢您一直以来对世伟洛克的支持！